Константин Кутузов, я не специалист по литографии, но немного знаю физику и немного читал по проблемам уменьшения техпроцесса.

Первая проблема: нужен свет с достаточно короткой длиной волны, иначе получается сильный дифракционный эффект на краях маски. Для этого нужны лампы, которые будут давать мощный свет с длиной волны, не превышающей пороговую. И такие лампы придётся разработать.

Вторая проблема: начиная с 90 нанометров и на более тонких техпроцессах длина канала у полевого транзистора становится слишком короткой, и электроны пролетают через такой транзистор даже если он заперт.

Давненько я как-то слышал подкаст с российским специалистом, работавшим в Intel как раз над этой проблемой. Если я не ошибаюсь, они решили применить иридий на затворе. А он не хотел соединяться с кремниевой подложкой. И им пришлось искать материал, который ляжет на кремний, а потом на этот материал можно будет напылить иридий.

И это не все проблемы, которые вылезают при уменьшении техпроцесса.